IRF1407PBF、STP80NF55L-06、STP140NF75对比区别
型号 IRF1407PBF STP80NF55L-06 STP140NF75
描述 INTERNATIONAL RECTIFIER IRF1407PBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 75V, 130A, TO-220AB 新STMICROELECTRONICS STP80NF55L-06 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 55 V, 8 mohm, 10 V, 3 VSTMICROELECTRONICS STP140NF75 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 75 V, 7.5 mohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 75.0 V 55.0 V 75.0 V
额定电流 130 A 80.0 A 120 A
通道数 1 - -
漏源极电阻 0.0078 Ω 0.008 Ω 0.0075 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 330 W 300 W 310 W
产品系列 IRF1407 - -
阈值电压 4 V 3 V 4 V
输入电容 5600pF @25V - 5000 pF
漏源极电压(Vds) 75 V 55 V 75 V
漏源击穿电压 75 V 55.0 V 75.0 V
连续漏极电流(Ids) 130 A 80.0 A 120 A
上升时间 150 ns 180 ns 140 ns
输入电容(Ciss) 5600pF @25V(Vds) 4850pF @25V(Vds) 5000pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 330 W 300 W 310 W
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
针脚数 - 3 3
栅源击穿电压 - ±16.0 V ±20.0 V
下降时间 - 80 ns 90 ns
耗散功率(Max) - 300W (Tc) 310W (Tc)
长度 10.67 mm 10.4 mm 10.4 mm
宽度 4.4 mm 4.6 mm 4.6 mm
高度 16.51 mm 15.75 mm 9.15 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Rail, Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17 2015/12/17 2014/06/16
ECCN代码 - - EAR99