BSC085N025SG、BSZ060NE2LS对比区别
描述 OptiMOS®2功率三极管 OptiMOS™2 Power-TransistorINFINEON BSZ060NE2LS 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 25 V, 0.005 ohm, 10 V, 2 V
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
封装 PG-TDSON-8 PG-TSDSON-8-FL
引脚数 - 8
额定电压(DC) 25.0 V -
额定电流 35.0 A -
通道数 1 -
漏源极电阻 13.1 Ω 0.005 Ω
耗散功率 2.8 W 26 W
输入电容 1.80 nF -
栅电荷 14.0 nC -
漏源极电压(Vds) 25.0 V 25 V
漏源击穿电压 25 V -
连续漏极电流(Ids) 35.0 A 12A
上升时间 4 ns 2.2 ns
下降时间 3 ns 1.8 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.8W (Ta), 52W (Tc) 2.1W (Ta), 26W (Tc)
针脚数 - 8
极性 - N-Channel
阈值电压 - 2 V
输入电容(Ciss) - 670pF @12V(Vds)
额定功率(Max) - 2.1 W
长度 5.9 mm 3.4 mm
宽度 5.15 mm 3.4 mm
高度 1.27 mm 1.1 mm
封装 PG-TDSON-8 PG-TSDSON-8-FL
产品生命周期 Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)