IRLR024NPBF、IRLR024NTRPBF、RFD14N05LSM对比区别
型号 IRLR024NPBF IRLR024NTRPBF RFD14N05LSM
描述 N 通道功率 MOSFET 13A 至 19A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。INFINEON IRLR024NTRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 55 V, 0.065 ohm, 10 V, 2 VN 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定电压(DC) - - 50.0 V
额定电流 - - 14.0 A
额定功率 38 W 38 W 14 W
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.065 Ω 0.065 Ω 100 mΩ
极性 N-CH N-CH N-Channel
耗散功率 45 W 45 W 48 W
阈值电压 2 V 2 V 2 V
输入电容 480pF @25V 480 pF 670 pF
栅电荷 - - 40.0 nC
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 50 V
漏源击穿电压 55 V 55 V 50.0 V
栅源击穿电压 - - ±10.0 V
连续漏极电流(Ids) 17A 17A 14.0 A
上升时间 74 ns 74 ns 24 ns
输入电容(Ciss) 480pF @25V(Vds) 480pF @25V(Vds) 670pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 45 W 45 W 48 W
下降时间 29 ns 29 ns 16 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 45W (Tc) 45W (Tc) 48 W
通道数 - 1 -
长度 6.73 mm 6.73 mm 6.73 mm
宽度 6.22 mm 6.22 mm 6.22 mm
高度 2.39 mm 2.39 mm 2.39 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/06/15
ECCN代码 - - EAR99