M36DR432B100ZA6、M36DR432B100ZA6T、M36DR432B100ZA6C对比区别

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型号 M36DR432B100ZA6 M36DR432B100ZA6T M36DR432B100ZA6C

描述 Memory Circuit, 2MX16, PBGA66, 0.8MM PITCH, STACK, LFBGA-6632兆位的2Mb X16 ，双行，页闪存和4兆位256K x16的SRAM ，多重内存产品 32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Flash Memory and 4 Mbit 256K x16 SRAM, Multiple Memory Product32兆位的2Mb X16 ，双行，页闪存和4兆位256K x16的SRAM ，多重内存产品 32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Flash Memory and 4 Mbit 256K x16 SRAM, Multiple Memory Product

数据手册 ---

制造商 Numonyx ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类

封装 LFBGA LFBGA LFBGA

封装 LFBGA LFBGA LFBGA

产品生命周期 Obsolete Unknown Unknown

RoHS标准 - Non-Compliant Non-Compliant