FDB8442、IPD90N04S4-05、NP80N04PLG-E1B-AY对比区别

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型号 FDB8442 IPD90N04S4-05 NP80N04PLG-E1B-AY

描述 N沟道PowerTrench MOSFET的 N-Channel PowerTrench MOSFET40V,90A,5.2mΩ,N沟道汽车MOSFETMOS场效应 MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) Renesas Electronics (瑞萨电子)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 2 3 -

封装 TO-263-3 TO-252-3 TO-263-3

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 254 W 65 W 1.8W (Ta), 115W (Tc)

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V

连续漏极电流(Ids) 80.0 A 86A -

上升时间 19.3 ns 11 ns -

输入电容(Ciss) 12200pF @25V(Vds) 2960pF @25V(Vds) 6900pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 254 W 65 W -

下降时间 17.2 ns 10 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 254W (Tc) 65000 mW 1.8W (Ta), 115W (Tc)

额定电压(DC) 40.0 V - -

额定电流 80.0 A - -

漏源极电阻 0.0021 Ω - -

阈值电压 2.9 V - -

栅电荷 230 nC - -

漏源击穿电压 40.0 V - -

栅源击穿电压 40.0 V - -

长度 10.67 mm 6.5 mm -

宽度 9.65 mm 6.22 mm -

高度 4.83 mm 2.3 mm -

封装 TO-263-3 TO-252-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -