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KSH30TF、MJD32CT4对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 KSH30TF MJD32CT4

描述 Trans GP BJT PNP 40V 1A 3Pin(2+Tab) DPAK T/RSTMICROELECTRONICS  MJD32CT4  双极晶体管

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3

封装 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) -40.0 V -100 V

额定电流 -1.00 A -3.00 A

针脚数 - 3

极性 PNP PNP, P-Channel

耗散功率 1.56 W 15 W

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 100 V

最小电流放大倍数(hFE) 15 @1A, 4V 10 @3A, 4V

额定功率(Max) 1.56 W 15 W

直流电流增益(hFE) - 50

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 15000 mW

频率 3 MHz -

增益频宽积 3 MHz -

集电极最大允许电流 1A -

最大电流放大倍数(hFE) 75 -

封装 TO-252-3 TO-252-3

长度 6.6 mm -

宽度 6.1 mm -

高度 2.3 mm -

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99