L6384D013TR、L6384ED、L6384D对比区别

高亮显示差异参数

型号 L6384D013TR L6384ED L6384D

描述 门驱动器 Hi-Volt Half BridgeSTMICROELECTRONICS  L6384ED  驱动器, IGBT, MOSFET, 半桥, 11.5V-16.6V电源, 650mA输出, 200ns延迟, SOIC-8HIGH- VOLTAGE半桥驱动器 HIGH-VOLTAGE HALF BRIDGE DRIVER

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SO-8 SOIC-8 SO-8

电源电压(DC) 14.4V (min) 11.5V (min) 16.6V (max)

上升/下降时间 50ns, 30ns 50ns, 30ns 50ns, 30ns

输出接口数 2 2 2

输出电压 - - 580 V

输出电流 650 mA - 650 mA

耗散功率 750 mW 0.75 W 750 mW

上升时间 70 ns 50 ns 70 ns

下降时间 30 ns 30 ns 30 ns

下降时间(Max) 30 ns 30 ns 30 ns

上升时间(Max) 70 ns 50 ns 70 ns

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -45 ℃ 45 ℃

耗散功率(Max) 750 mW 750 mW 750 mW

电源电压 14.6V ~ 16.6V 14.6V ~ 16.6V 14.6V ~ 16.6V

电源电压(Max) 16.6 V 16.6 V 16.6 V

电源电压(Min) 8 V 11.5 V 8 V

频率 - 0.4 MHz -

针脚数 - 8 -

输出电流(Max) - 0.65 A -

通道数 1 - -

长度 5 mm 4.9 mm 5 mm

宽度 4 mm 3.9 mm 4 mm

高度 1.25 mm 1.25 mm 1.25 mm

封装 SO-8 SOIC-8 SO-8

工作温度 -45℃ ~ 125℃ (TJ) -45℃ ~ 125℃ (TJ) -45℃ ~ 125℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -