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6116SA25SOGI、CY22E016L-SZ35XC、LH5116NA-10对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 6116SA25SOGI CY22E016L-SZ35XC LH5116NA-10

描述 SRAM Chip Async Single 5V 16Kbit 2K x 8 25ns 24Pin SOIC Tube16千位( 2K ×8 )的nvSRAM 16 Kbit (2K x 8) nvSRAMSRAM Chip Async Single 5V 16Kbit 2K x 8 100ns 24Pin SOP

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Sharp (夏普)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 24 - 24

封装 SOIC-24 SOIC-28 SOP-24

时钟频率 - - 100 GHz

存取时间 - - 100 ns

内存容量 - - 16000 B

存取时间(Max) - - 100 ns

工作温度(Max) 85 ℃ - 70 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ - 0 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V

高度 2.34 mm - 2.4 mm

封装 SOIC-24 SOIC-28 SOP-24

长度 15.4 mm - -

宽度 7.60 mm - -

厚度 2.34 mm - -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Active Unknown Obsolete

包装方式 Tube - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Contains Lead