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IRS2104SPBF、NCP5104DR2G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRS2104SPBF NCP5104DR2G

描述 Infineon IRS2104SPBF, Dual MOSFET Power Driver 0.6A Half Bridge, 10 20V, 8Pin SOICON SEMICONDUCTOR  NCP5104DR2G  驱动器, MOSFET, 半桥, 10V-20V电源, 500mA输出, 35ns延迟, SOIC-8

数据手册 --

制造商 International Rectifier (国际整流器) ON Semiconductor (安森美)

分类 FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) 10.0V (min) 10.0V (min)

输出接口数 2 2

输出电压 620 V, 10.0 V (min) -

输出电流 290 mA -

耗散功率 0.625 W -

产品系列 IRS2104 -

上升时间 170 ns 160ns (Max)

下降时间 90 ns 75ns (Max)

下降时间(Max) 90 ns 75 ns

上升时间(Max) 170 ns 160 ns

工作温度(Max) 125 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 625 mW -

电源电压 10V ~ 20V 10V ~ 20V

上升/下降时间 - 85ns, 35ns

无卤素状态 - Halogen Free

针脚数 - 8

电源电压(Max) - 20 V

电源电压(Min) - 10 V

高度 1.5 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8

长度 - 5 mm

宽度 - 4 mm

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99