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IRF7805ZGTRPBF、IRF7805ZPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF7805ZGTRPBF IRF7805ZPBF

描述 SOIC N-CH 30V 16AINFINEON  IRF7805ZPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 30 V, 0.0055 ohm, 10 V, 2.25 V

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8

额定功率 - 2.5 W

通道数 - 1

针脚数 - 8

漏源极电阻 - 0.0055 Ω

极性 N-CH N-Channel

耗散功率 2.5W (Ta) 2.5 W

阈值电压 - 2.25 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

漏源击穿电压 - 30 V

连续漏极电流(Ids) 16A 16A

上升时间 10 ns 10 ns

输入电容(Ciss) 2080pF @15V(Vds) 2080pF @15V(Vds)

额定功率(Max) - 2.5 W

下降时间 3.7 ns 3.7 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)

长度 - 5 mm

宽度 - 4 mm

高度 - 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17