IPB80N04S3-03、IPB80N04S303ATMA1、SPB80N04S2-H4对比区别

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型号 IPB80N04S3-03 IPB80N04S303ATMA1 SPB80N04S2-H4

描述 的OptiMOS -T电源晶体管 OptiMOS-T Power-TransistorD2PAK N-CH 40V 80A的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263-3 TO-263-3-2 TO-263-3-2

引脚数 3 3 -

额定电压(DC) - - 40.0 V

额定电流 - - 80.0 A

极性 N-CH N-CH N-CH

耗散功率 188 W 188W (Tc) 300W (Tc)

输入电容 - - 5.89 nF

栅电荷 - - 148 nC

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V

连续漏极电流(Ids) 80A 80A 80.0 A

输入电容(Ciss) 7300pF @25V(Vds) 7300pF @25V(Vds) 5890pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 188W (Tc) 188W (Tc) 300W (Tc)

上升时间 17 ns 17 ns -

下降时间 14 ns 14 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

额定功率(Max) 188 W - -

封装 TO-263-3 TO-263-3-2 TO-263-3-2

长度 10 mm - -

宽度 9.25 mm - -

高度 4.4 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead