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71V3578S133PFI、IDT71V3578S133PFI、71V3578YS133PFI8对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 71V3578S133PFI IDT71V3578S133PFI 71V3578YS133PFI8

描述 Cache SRAM, 256KX18, 4.2ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, PLASTIC, TQFP-100128K ×36 , 256K ×18的3.3V同步SRAM 3.3VI / O ,流水线突发输出计数器,单周期取消 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle DeselectCache SRAM, 256KX18, 4.2ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, PLASTIC, TQFP-100

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片

基础参数对比

封装 LQFP LQFP-100 LQFP

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 LQFP LQFP-100 LQFP

产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete

包装方式 Tray Tray -

电源电压 - 3.135V ~ 3.465V -

工作温度 - -40℃ ~ 85℃ (TA) -

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant -

含铅标准 - Contains Lead -

ECCN代码 - 3A991 -