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BZX55C8V2-TP、BZX55C8V2-TR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZX55C8V2-TP BZX55C8V2-TR

描述 DO-35 8.2V 0.5W(1/2W)VISHAY BZX55C8V2-TR Zener Single Diode, 8.2V, 0.5W(1/2W), DO-35, 5%, 2Pins, 175℃

数据手册 --

制造商 Micro Commercial Components (美微科) Vishay Semiconductor (威世)

分类 齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 2 2

封装 DO-35 DO-35

容差 - ±5 %

击穿电压 - 8.70 V

正向电压 - 1.5 V

耗散功率 500 mW 500 mW

测试电流 5 mA 5 mA

稳压值 8.2 V 8.2 V

额定功率(Max) - 500 mW

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 500 mW

长度 - 3.9 mm

宽度 - 1.7 mm

高度 - 1.7 mm

封装 DO-35 DO-35

工作温度 - -65℃ ~ 175℃

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅