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1N6382、JAN1N6142A、1N6142A对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N6382 JAN1N6142A 1N6142A

描述 Trans Voltage Suppressor Diode,双向瞬态抑制器 BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORSESD Suppressors / TVS Diodes T MET BI 1500W 7.6V

数据手册 ---

制造商 Taitron Microsemi (美高森美) Semtech Corporation

分类 TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole Through Hole

封装 - C Axial

额定功率 - - 1500 W

击穿电压 - - 9.5 V

耗散功率 - - 1.5 kW

钳位电压 - - 14.5 V

工作温度(Max) - - 175 ℃

工作温度(Min) - - 65 ℃

最大反向电压(Vrrm) - 7.6V -

脉冲峰值功率 - 1500 W -

最小反向击穿电压 - 9.5 V -

封装 - C Axial

产品生命周期 Active Active Active

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Contains Lead Lead Free

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -