HGTG12N60A4D、HGTG20N60C3、IGW60T120对比区别

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型号 HGTG12N60A4D HGTG20N60C3 IGW60T120

描述 HGTG12N60A4D系列 600 V 54 A 法兰安装 SMPS N沟道 IGBT-TO-24745A ， 600V ， UFS系列N沟道IGBT 45A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTINFINEON  IGW60T120  单晶体管, IGBT, 60 A, 2.4 V, 375 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 TO-247-3 TO-247 TO-247-3

针脚数 3 - 3

耗散功率 167 W - 375 W

击穿电压(集电极-发射极) 600 V - 1200 V

反向恢复时间 30 ns - -

额定功率(Max) 167 W - 375 W

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -40 ℃

耗散功率(Max) 167000 mW - 375 W

额定功率 - - 375 W

封装 TO-247-3 TO-247 TO-247-3

长度 - - 15.9 mm

宽度 - - 5.3 mm

高度 - - 20.95 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -40℃ ~ 150℃

产品生命周期 Not For New Designs Obsolete Active

包装方式 Tube - Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - EAR99