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1N5236、TZM5236B-GS08、1N5226B对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N5236 TZM5236B-GS08 1N5226B

描述 ZENER DIODES500mW,TZM52xxB 系列,Vishay Semiconductor小信号齐纳二极管 超剧烈反向特性 非常高的稳定性 低反向电流电平 容差 ±5% 符合 AEC-Q101 ### 齐纳二极管,Vishay Semiconductor1N5226 系列 500 mW 3.3 V 20 mA 通孔 齐纳二极管 - DO-35

数据手册 ---

制造商 EIC Vishay Semiconductor (威世) ON Semiconductor (安森美)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

引脚数 2 2 2

封装 DO-35 SOD-80 DO-35

安装方式 - Surface Mount -

封装 DO-35 SOD-80 DO-35

长度 - 3.7 mm -

宽度 - 1.6 mm -

高度 - 1.6 mm -

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR) Bag

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

容差 - ±5 % ±5 %

针脚数 - - 2

正向电压 - 1.1 V 1.2V @200mA

耗散功率 - 500 mW 500 mW

测试电流 - 20 mA 20 mA

稳压值 - 7.5 V 3.3 V

额定功率(Max) - 500 mW 500 mW

工作温度(Max) - 175 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 500 mW 500 mW

正向电流 - 200 mA -

正向电压(Max) - 1.1V @200mA -

工作温度 - 175 ℃ -65℃ ~ 200℃