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IR2011、IR2011PBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IR2011 IR2011PBF

描述 MOSFET DRVR 200V 1A 2Out Hi/Lo Side Non-Inv 8Pin PDIPINFINEON  IR2011PBF.  双路驱动器, MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 1A输出, 75ns延迟, DIP-8

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 PDIP-8 PDIP-8

引脚数 - 8

上升/下降时间 35ns, 20ns 35ns, 20ns

电源电压 10V ~ 20V 10V ~ 20V

电源电压(DC) - 10.0V (min)

工作电压 - 10V ~ 20V

输出接口数 - 2

输出电压 - 200 V, 10.0 V (min)

针脚数 - 8

耗散功率 - 1000 mW

产品系列 - IR2011

上升时间 - 50ns (Max)

下降时间 - 35ns (Max)

下降时间(Max) - 35 ns

上升时间(Max) - 50 ns

工作温度(Max) - 125 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃

耗散功率(Max) - 1000 mW

电源电压(Max) - 20 V

电源电压(Min) - 10 V

封装 PDIP-8 PDIP-8

长度 - 10.92 mm

宽度 - 7.11 mm

高度 - 5.33 mm

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 - Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

ECCN代码 - EAR99