DMN2004K-7、DMN2004TK-7、TN0200K-T1-E3对比区别

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型号 DMN2004K-7 DMN2004TK-7 TN0200K-T1-E3

描述 DMN2004K-7 编带N沟道 20V 540mAVISHAY  TN0200K-T1-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 730 mA, 20 V, 400 mohm, 4.5 V, 600 mV

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) Diodes (美台) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-523-3 SOT-23

通道数 1 - -

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 0.55 Ω - 0.4 Ω

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 350 mW 0.15 W 350 mW

阈值电压 1.6 V - 600 mV

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

连续漏极电流(Ids) 540 mA 0.54A 730 mA

上升时间 8.4 ns 9.1 ns -

正向电压(Max) 1 V - -

输入电容(Ciss) 150pF @16V(Vds) 150pF @16V(Vds) -

额定功率(Max) 350 mW 150 mW -

下降时间 37.6 ns 28 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 350mW (Ta) 150 mW -

长度 2.9 mm 1.60 mm 3.04 mm

宽度 1.3 mm 0.80 mm -

高度 1 mm 0.75 mm 1.02 mm

封装 SOT-23-3 SOT-523-3 SOT-23

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active -

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

军工级 Yes - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 - -