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2SA1943OTU、FJL4215OTU、2STA1943对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2SA1943OTU FJL4215OTU 2STA1943

描述 Power PNP 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。Power PNP 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。STMICROELECTRONICS  2STA1943  单晶体管 双极, PNP, 230 V, 30 MHz, 150 W, 8 A, 80 hFE

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-264-3 TO-264-3 TO-264-3

频率 30 MHz - 30 MHz

针脚数 3 - 3

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 150 W 150 W 150 W

增益频宽积 - - 30 MHz

击穿电压(集电极-发射极) 250 V 250 V 230 V

集电极最大允许电流 17A 17A 15A

最小电流放大倍数(hFE) 80 @1A, 5V 80 @1A, 5V 80 @1A, 5V

额定功率(Max) 150 W 150 W 150 W

直流电流增益(hFE) 80 60 80

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -50 ℃ -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 150 W 150 W 150000 mW

额定电压(DC) - -230 V -

额定电流 - -13.0 A -

最大电流放大倍数(hFE) - 160 -

长度 20 mm 20 mm 20.2 mm

宽度 5 mm 5 mm 5.2 mm

高度 26 mm 26 mm 26.4 mm

封装 TO-264-3 TO-264-3 TO-264-3

工作温度 -50℃ ~ 150℃ (TJ) -50℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

材质 Silicon - -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 -