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SKHI 22B H4 R、SKHI 22B R对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SKHI 22B H4 R SKHI 22B R

描述 SEMIDRIVER™ 混合双 IGBT 驱动器,Semikron 驱动器,用于工业应用内桥式电路中的 IGBT 模块。 集电极发射极电压・・・SKHI 22 A (R):1200V、SKHI 22 A / B (R):1700V 输出峰值电流 8A 双驱动器,用于半桥式 IGBT 模块 CMOS 兼容输入 通过 VCE MOSFET & IGBT 驱动器,SemikronSEMIKRON  SKHI 22B R  芯片, IGBT驱动器, 双路, 1.2KV, 1US

数据手册 --

制造商 Semikron (赛米控) Semikron (赛米控)

分类 FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 Module Module

电源电压(DC) - 14.4V (min)

工作电压 14.4V ~ 15.6V 14.4V ~ 15.6V

输出接口数 2 2

通道数 2 2

隔离电压 4 V 2.5 V

开关频率 50 kHz 50 kHz

工作温度(Max) 85 ℃ -40 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ 85 ℃

电源电压(Max) 15.6 V 15.6 V

电源电压(Min) 14.4 V 14.4 V

频率 50 kHz -

输出电流 8 A -

电源电压 14.4.15.6 VDC -

封装 Module Module

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

包装方式 - Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15

含铅标准 Lead Free -