DMS3017SSD-13、SP8K2TB对比区别
描述 Trans MOSFET N-CH 30V 10A/7.2A Automotive 8Pin SO T/RSP8K2 系列 30 V 6 A 30 mOhm 表面贴装 双 N 沟道 Mosfet - SOIC-8
数据手册 --
制造商 Diodes (美台) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8
极性 N-Channel N-CH
耗散功率 1.79 W -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 10A/7.2A 6.00 A
输入电容(Ciss) 1276pF @15V(Vds) 520pF @10V(Vds)
额定功率(Max) 1.19 W 2 W
工作温度(Max) 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -
额定电压(DC) - 30.0 V
额定电流 - 6.00 A
上升时间 - 21.0 ns
封装 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 End of Life Not For New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC -