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ICTE12CHE3_A/C、ICTE12C-E3/51、1N6384-E3/54对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ICTE12CHE3_A/C ICTE12C-E3/51 1N6384-E3/54

描述 Tvs Diode 12vwm 17.1vc 1.5keESD 抑制器/TVS 二极管 1.5KW 12V BidirectDiode TVS Single Bi-Dir 12V 1.5kW 2Pin Case 1.5KE T/R

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 二极管二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 DO-201AA DO-201AA DO-201AA

击穿电压 - 14.1 V 14.1 V

钳位电压 - 17.1 V 17.1 V

脉冲峰值功率 1500 W 1500 W 1500 W

最小反向击穿电压 14.1 V 14.1 V 14.1 V

工作电压 - 12 V -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

长度 - - 9.5 mm

封装 DO-201AA DO-201AA DO-201AA

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Bulk Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free