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IRF8736PBF、SI4420DYPBF、IRF8736TRPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF8736PBF SI4420DYPBF IRF8736TRPBF

描述 INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF8736PBF  场效应管, MOSFET, 30V, 18A, SOIC 新INTERNATIONAL RECTIFIER  SI4420DYPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 30V, 12.5A, SOICINFINEON  IRF8736TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 30 V, 0.0039 ohm, 10 V, 1.8 V

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) International Rectifier (国际整流器) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

针脚数 8 8 8

漏源极电阻 4.8 mΩ 0.013 Ω 0.0039 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.5 W

产品系列 IRF8736 SI4420DY -

阈值电压 1.8 V - 1.8 V

输入电容 2315pF @15V 2240pF @15V 2315 pF

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 18.0 A 12.5 A 18A

输入电容(Ciss) 2315pF @15V(Vds) 2240pF @15V(Vds) 2315pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W 2.5 W 2.5 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

额定电压(DC) - 30.0 V -

额定电流 - 12.5 A -

漏源击穿电压 - 30.0 V 30 V

上升时间 - 10.0 ns 15 ns

额定功率 - - 2.5 W

通道数 - - 1

下降时间 - - 7.5 ns

耗散功率(Max) - - 2.5W (Ta)

长度 5 mm 5 mm 5 mm

高度 1.5 mm 1.5 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

宽度 - - 4 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Rail, Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2014/12/17 - 2015/12/17