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IS42S16400F-6BL、IS42S16400J-6BL对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS42S16400F-6BL IS42S16400J-6BL

描述 IC SDRAM 64Mbit 166MHz 54TFBGASynchronous DRAM, 4MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8MM, 0.8MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TFBGA-54

数据手册 --

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 54 54

封装 BGA-54 BGA-54

供电电流 - 100 mA

位数 16 16

存取时间 6 ns 6 ns

存取时间(Max) 6ns, 5.4ns 5.4 ns

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

电源电压(Max) 3.6 V 3.6 V

电源电压(Min) 3 V 3 V

封装 BGA-54 BGA-54

长度 8 mm -

宽度 8 mm -

高度 0.8 mm -

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅

ECCN代码 - EAR99