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71124S12Y、71124S12YG8、IS63LV1024-12KL对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 71124S12Y 71124S12YG8 IS63LV1024-12KL

描述 SRAM Chip Async Single 5V 1M-Bit 128K x 8 12ns 32Pin SOJSRAM Chip Async Single 5V 1M-Bit 128K x 8 12ns 32Pin SOJ T/R1Mb, High-Speed, Async, 128K x 8, 12ns, 3.3V, 32Pin SOJ (400 mil), RoHS

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片RAM芯片

基础参数对比

引脚数 32 32 32

封装 SOJ BSOJ-32 SOJ-32

安装方式 - - Surface Mount

供电电流 - 160 mA 130 mA

存取时间 - 12 ns 12 ns

电源电压 - 4.5V ~ 5.5V 3V ~ 3.6V

工作温度(Max) 70 ℃ - 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ - 0 ℃

电源电压(DC) - - 3.30 V, 3.60 V (max)

位数 - - 8

内存容量 - - 1000000 B

存取时间(Max) - - 12 ns

电源电压(Max) - - 3.6 V

电源电压(Min) - - 3 V

长度 - 20.9 mm -

宽度 - 10.2 mm -

封装 SOJ BSOJ-32 SOJ-32

厚度 - 2.20 mm -

工作温度 - 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - - EAR99