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IS42SM16160D-7BLI、IS42SM16160K-6BLI对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS42SM16160D-7BLI IS42SM16160K-6BLI

描述 DRAM Chip Mobile SDRAM 256Mbit 16Mx16 3.3V 54Pin TFBGADRAM Chip Mobile SDRAM 256Mbit 16Mx16 3.3V 54Pin TFBGA

数据手册 --

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 54 54

封装 BGA-54 TFBGA-54

供电电流 110 mA 110 mA

位数 16 16

存取时间 5.4 ns 5.5 ns

存取时间(Max) 8ns, 5.4ns 8ns, 5.5ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 40 ℃ -40 ℃

电源电压 3.3 V 2.7V ~ 3.6V

电源电压(Max) 3.6 V -

电源电压(Min) 3 V -

封装 BGA-54 TFBGA-54

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅

ECCN代码 EAR99 EAR99