RFP12N10L、RFP2N20、RFP50N06对比区别

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型号 RFP12N10L RFP2N20 RFP50N06

描述 ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET RFP12N10L, 12 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装2A ， 200V ， 3.500 Ohm的N通道功率MOSFET 2A, 200V, 3.500 Ohm, N-Channel Power MOSFETON Semiconductor MegaFET 系列 Si N沟道 MOSFET RFP50N06, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Intersil (英特矽尔) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole - Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 TO-220-3 - TO-220-3

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 0.2 Ω - 0.022 Ω

耗散功率 60 W - 131 W

阈值电压 2 V - 4 V

漏源极电压(Vds) 100 V - 60 V

上升时间 70 ns - 55 ns

输入电容(Ciss) 900pF @25V(Vds) - 2020pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 60 W - 131 W

下降时间 80 ns - 13 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 60000 mW - 131 W

长度 10.67 mm - 10.67 mm

宽度 4.83 mm - 4.83 mm

高度 9.4 mm - 9.4 mm

封装 TO-220-3 - TO-220-3

材质 Silicon - Silicon

工作温度 - - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Rail, Tube - Tube

RoHS标准 -

含铅标准 Lead Free - Lead Free