BFP640H6327XTSA1、BFP 640 H6433对比区别

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型号 BFP640H6327XTSA1 BFP 640 H6433

描述 INFINEON  BFP640H6327XTSA1  晶体管 双极-射频, NPN, 4.5 V, 40 GHz, 200 mW, 50 mA, 110 hFE射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-343-4 SOT-343-4

引脚数 4 -

击穿电压(集电极-发射极) 4.5 V 4.5 V

增益 12.5 dB 24 dB

最小电流放大倍数(hFE) 110 @30mA, 3V 110 @30mA, 3V

额定功率(Max) 200 mW 200 mW

频率 40000 MHz -

针脚数 4 -

极性 NPN -

耗散功率 200 mW -

直流电流增益(hFE) 110 -

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -

耗散功率(Max) 200 mW -

封装 SOT-343-4 SOT-343-4

长度 2 mm -

宽度 1.25 mm -

高度 0.9 mm -

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 -