CY7C1009BN-12VC、IS61C1024AL-12JLI、CY7C1009B-12VXCT对比区别

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型号 CY7C1009BN-12VC IS61C1024AL-12JLI CY7C1009B-12VXCT

描述 128K ×8静态RAM 128K x 8 Static RAMRAM，ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM，其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用，如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源：1.8V/3.3V/5V 提供的封装：BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择：x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM（静态随机存取存储器）SRAM Chip Async Single 5V 1M-Bit 128K x 8 12ns 32Pin SOJ T/R

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Integrated Silicon Solution(ISSI) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片RAM芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 SOJ SOJ-32 -

引脚数 - 32 32

封装 SOJ SOJ-32 -

长度 - 21.08 mm -

宽度 - 7.75 mm -

高度 - 2.67 mm -

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 - Each Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free PB free -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

电源电压(DC) - 1.80 V, 5.50 V (max) -

工作电压 - 5 V -

供电电流 - 40 mA -

位数 - 8 8

存取时间 - 12 ns -

内存容量 - 125000 B -

存取时间(Max) - 12 ns 12 ns

工作温度(Max) - 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ 0 ℃

电源电压 - 4.5V ~ 5.5V -

工作温度 - -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃

ECCN代码 - EAR99 -