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BC818K40E6327HTSA1、BC 818-40 E6327对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC818K40E6327HTSA1 BC 818-40 E6327

描述 单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3TRANS NPN 25V 0.5A SOT-23

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-23-3 SOT-23-3

引脚数 3 -

额定电压(DC) - 25.0 V

额定电流 - 500 mA

击穿电压(集电极-发射极) 25 V 25 V

最小电流放大倍数(hFE) 250 @100mA, 1V 250 @100mA, 1V

额定功率(Max) 500 mW 330 mW

耗散功率(Max) 500 mW 330 mW

极性 NPN -

耗散功率 500 mW -

增益频宽积 170 MHz -

集电极最大允许电流 0.5A -

最大电流放大倍数(hFE) 630 -

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) 65 ℃ -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3

长度 2.9 mm -

宽度 1.3 mm -

高度 0.9 mm -

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

材质 Silicon -

产品生命周期 Not For New Designs Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free