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JAN2N5683、JANTX2N5683、JANTX2N5684对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN2N5683 JANTX2N5683 JANTX2N5684

描述 NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTORNPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTORNPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-204 TO-3 TO-3

极性 NPN NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 80 V

集电极最大允许电流 50A 50A 50A

最小电流放大倍数(hFE) 15 @25A, 2V - 30 @5A, 2V

额定功率(Max) 300 W - 300 W

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 300000 mW 300000 mW 300000 mW

封装 TO-204 TO-3 TO-3

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) - -65℃ ~ 200℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead - Contains Lead