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TPN6R003NL,LQ、TPCC8005-H(TE12LQM对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TPN6R003NL,LQ TPCC8005-H(TE12LQM

描述 8-TSON高级MOSFET N-CH 30V 26A 8TSON

数据手册 --

制造商 Toshiba (东芝) Toshiba (东芝)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 TSON-Advance-8 TSON-Advance-8

耗散功率 32 W 700mW (Ta), 30W (Tc)

漏源极电压(Vds) - 30 V

输入电容(Ciss) 1400pF @15V(Vds) 2900pF @10V(Vds)

耗散功率(Max) 700mW (Ta), 32W (Tc) 700mW (Ta), 30W (Tc)

上升时间 4.1 ns -

下降时间 3.3 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -

长度 3.1 mm 3.1 mm

宽度 3.1 mm 3.1 mm

高度 0.85 mm 0.85 mm

封装 TSON-Advance-8 TSON-Advance-8

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free