AUIRF7316QTR、IRF7316、AUIRF7316Q对比区别
型号 AUIRF7316QTR IRF7316 AUIRF7316Q
描述 HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。2个P沟道 30V 4.9AINFINEON AUIRF7316Q 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -4.9 A, -30 V, 0.042 ohm, -10 V, -1 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
针脚数 8 - 8
漏源极电阻 0.042 Ω - 0.042 Ω
极性 P-Channel Dual P-Channel P-CH
耗散功率 2 W - 2 W
漏源极电压(Vds) 30 V 30.0 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 4.9A 4.90 A 4.9A
上升时间 13 ns 13 ns 13 ns
输入电容(Ciss) 710pF @25V(Vds) 710pF @25V(Vds) 710pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 2 W - 2 W
下降时间 32 ns 32 ns 32 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2 W 2000 mW 2000 mW
额定电压(DC) - -30.0 V -
额定电流 - -4.90 A -
产品系列 - IRF7316 -
漏源击穿电压 - -30.0 V -
额定功率 2 W - -
阈值电压 3 V - -
长度 5 mm - 4.9 mm
宽度 4 mm - 3.9 mm
高度 1.5 mm - 1.75 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
材质 Silicon - Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17