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DDTB143EC-7、DDTB143EC-7-F、DTB143EC对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DDTB143EC-7 DDTB143EC-7-F DTB143EC

描述 Transistors (BJT) - Single, Pre-Biased双极晶体管 - 预偏置 200MW 4.7KSmall Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) Diodes (美台) Diodes (美台)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 - 3 -

封装 SOT-23 SOT-23-3 -

极性 PNP PNP -

耗散功率 - 0.2 W -

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V -

集电极最大允许电流 500mA 500mA -

最小电流放大倍数(hFE) - 47 @50mA, 5V -

额定功率(Max) - 200 mW -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

增益带宽 - 200 MHz -

耗散功率(Max) - 200 mW -

长度 - 3.05 mm -

宽度 - 1.4 mm -

高度 - 1 mm -

封装 SOT-23 SOT-23-3 -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 - EAR99 -