CY7C1513KV18-300BZC、IS61QDB44M18A-300M3L、IS61QDB44M18-300M3L对比区别

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型号 CY7C1513KV18-300BZC IS61QDB44M18A-300M3L IS61QDB44M18-300M3L

描述 72 - Mbit的QDR II SRAM 4字突发架构 72-Mbit QDR II SRAM 4-Word Burst ArchitectureQDR SRAM, 4MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17MM, 1.4MM HEIGHT, LEAD FREE, LFBGA-165SRAM Chip Sync Dual 1.8V 72M-bit 4M x 18 0.45ns 165Pin LFBGA

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片RAM芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 165 165 165

封装 FBGA-165 FBGA-165 BGA

位数 18 - 18

存取时间 0.45 ns 8.4 ns -

存取时间(Max) 0.45 ns - 0.45 ns

工作温度(Max) 70 ℃ - 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ - 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.71V ~ 1.89V -

电源电压(Max) 1.9 V - -

电源电压(Min) 1.7 V - -

时钟频率 - 300 MHz -

高度 0.89 mm - -

封装 FBGA-165 FBGA-165 BGA

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ (TA) -

产品生命周期 Unknown Active Obsolete

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 -