SID1003BQ、TLN115A、LTE-3371T对比区别
安装方式 - Through Hole Through Hole
引脚数 - - 2
封装 - DIP T-1
额定功率 - - 150 mW
上升/下降时间 - - 0.03 µs
正向电压 - - 1.25 V
波长 - - 940 nm
视角 - - 40°
峰值波长 - - 940 nm
耗散功率 - - 150 W
测试电流 - - 20 mA
正向电流 - - 100 mA
正向电压(Max) - - 2.1 V
正向电流(Max) - - 100 mA
工作温度(Max) - - 85 ℃
工作温度(Min) - - -40 ℃
耗散功率(Max) - - 150 mW
高度 - - 8.6 mm
封装 - DIP T-1
工作温度 - - -40℃ ~ 85℃ (TA)
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 - - Bulk
RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - - Lead Free
ECCN代码 - - EAR99