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SID1003BQ、TLN115A、LTE-3371T对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SID1003BQ TLN115A LTE-3371T

描述 Infrared LED, 4.8mm, 1Element, 940nmINFRARED LED GaAs INFRARED EMITTERLTE-3371T 系列 1.25 V 100 mA 940 nm 通孔 IR 发射体 和 检测器

数据手册 ---

制造商 Ledtronics Toshiba (东芝) LiteOn (光宝)

分类 光源与发射器

基础参数对比

安装方式 - Through Hole Through Hole

引脚数 - - 2

封装 - DIP T-1

额定功率 - - 150 mW

上升/下降时间 - - 0.03 µs

正向电压 - - 1.25 V

波长 - - 940 nm

视角 - - 40°

峰值波长 - - 940 nm

耗散功率 - - 150 W

测试电流 - - 20 mA

正向电流 - - 100 mA

正向电压(Max) - - 2.1 V

正向电流(Max) - - 100 mA

工作温度(Max) - - 85 ℃

工作温度(Min) - - -40 ℃

耗散功率(Max) - - 150 mW

高度 - - 8.6 mm

封装 - DIP T-1

工作温度 - - -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 - - Bulk

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - - Lead Free

ECCN代码 - - EAR99