NGB18N40ACLBT4G、NGB18N40CLBT4G对比区别
型号 NGB18N40ACLBT4G NGB18N40CLBT4G
描述 IGBT 分立，On Semiconductor### IGBT 分立，On Semiconductor绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。点火IGBT 18安培， 400伏 Ignition IGBT 18 Amps, 400 Volts
数据手册 --
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3
无卤素状态 Halogen Free -
耗散功率 115000 mW 115000 mW
击穿电压(集电极-发射极) 430 V 430 V
额定功率(Max) 115 W 115 W
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 115 W 115000 mW
额定电压(DC) - 400 V
额定电流 - 18.0 A
上升时间 - 4.50 ns
长度 10.29 mm -
宽度 9.65 mm -
高度 4.83 mm -
封装 TO-263-3 TO-263-3
产品生命周期 Active Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ)
ECCN代码 - EAR99