IRF8707TRPBF、STS11NF30L、SI4386DY-T1-E3对比区别

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型号 IRF8707TRPBF STS11NF30L SI4386DY-T1-E3

描述 Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8Pin SOIC T/RN 通道 STripFET™ F3，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSI4386DY-T1-E3 编带

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) VISHAY (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

漏源极电阻 17.5 mΩ 0.0085 Ω 7 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5 W 2.5 W 3.1 W

产品系列 IRF8707 - -

输入电容 760pF @15V - -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 11.0 A 11.0 A 16.0 A

输入电容(Ciss) 760pF @15V(Vds) 1440pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 2.5 W 2.5 W 1.47 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

额定电压(DC) - 30.0 V -

额定电流 - 11.0 A -

额定功率 - 2.5 W -

阈值电压 - 1 V -

漏源击穿电压 - 30.0 V -

栅源击穿电压 - ±18.0 V -

上升时间 - 39 ns 9 ns

下降时间 - 16 ns 10 ns

耗散功率(Max) - 2500 mW 3100 mW

长度 5 mm 5 mm -

高度 1.5 mm 1.25 mm -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

宽度 - 4 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

最小包装 - - 2500

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -