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JAN2N5415S、JANTXV2N5415、JANTXV2N5415S对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN2N5415S JANTXV2N5415 JANTXV2N5415S

描述 PNP小功率硅晶体管 PNP LOW POWER SILICON TRANSISTORPNP小功率硅晶体管 PNP LOW POWER SILICON TRANSISTORPower Bipolar Transistor, 1A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, Metal, 3 Pin,

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Solitron Devices

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 3 -

封装 TO-205 TO-5 -

击穿电压(集电极-发射极) 200 V 200 V -

最小电流放大倍数(hFE) 30 @50mA, 10V 30 @50mA, 10V -

额定功率(Max) 750 mW 750 mW -

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 750 mW 750 mW -

耗散功率 - 0.75 W -

封装 TO-205 TO-5 -

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bag Bag -

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant -

含铅标准 Contains Lead -