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DS1225AB-200、DS1225AB-200+、DS1225AB-70+对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DS1225AB-200 DS1225AB-200+ DS1225AB-70+

描述 IC NVSRAM 64Kbit 200NS 28DIPMAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1225AB-200+  芯片, 存储器, NVRAMNon-Volatile SRAM Module, 8KX8, 70ns, CMOS, PDIP28, 0.72INCH, ROHS COMPLIANT, EDIP-28

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 28 28 -

封装 DIP-28 EDIP-28 DIP-28

电源电压(DC) 5.00 V, 5.25 V (max) 5.00 V, 5.25 V (max) -

针脚数 - 28 -

时钟频率 200 GHz 200 GHz -

存取时间 200 ns 200 ns 70 ns

内存容量 8000 B 8000 B -

工作温度(Max) - 70 ℃ -

工作温度(Min) - 0 ℃ -

电源电压 4.75V ~ 5.25V 4.75V ~ 5.25V 4.75V ~ 5.25V

电源电压(Max) - 5.25 V -

电源电压(Min) - 4.75 V -

负载电容 5.00 pF - -

长度 - 39.37 mm -

宽度 - 18.29 mm -

高度 - 10.67 mm -

封装 DIP-28 EDIP-28 DIP-28

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tube Tube Tube, Rail

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free