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FDMS7682、FDMS8670AS、FDMS8670S对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDMS7682 FDMS8670AS FDMS8670S

描述 PowerTrench® N 通道 MOSFET,20A 至 59.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。N沟道PowerTrench㈢ SyncFET TM 30V , 42A , 3.0米ヘ N-Channel PowerTrench㈢ SyncFET TM 30V, 42A, 3.0mヘN沟道PowerTrench㈢ SyncFET TM N-Channel PowerTrench㈢ SyncFET TM

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 Power-56-8 Power-56-8 Power-56-8

漏源极电阻 0.0052 Ω - -

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 33 W 2.5 W 2.5 W

阈值电压 1.9 V - -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 16A 23A 42.0 A

上升时间 10 ns 5 ns 19 ns

输入电容(Ciss) 1885pF @15V(Vds) 3615pF @15V(Vds) 4000pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W 2.5 W 2.5 W

下降时间 10 ns 4 ns 10 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 33W (Tc) 2.5W (Ta), 78W (Tc) 2.5W (Ta), 78W (Tc)

额定电压(DC) - - 30.0 V

额定电流 - - 42.0 A

输入电容 - - 4.00 nF

栅电荷 - - 73.0 nC

漏源击穿电压 - - 30.0 V

长度 5 mm 6 mm 6 mm

宽度 6 mm 5 mm 5 mm

高度 1.05 mm 1.1 mm 1.1 mm

封装 Power-56-8 Power-56-8 Power-56-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 - - EAR99