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PBSS4120T、PBSS4120T,215对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PBSS4120T PBSS4120T,215

描述 Small Signal Bipolar Transistor低饱和电压 NPN 晶体管,Nexperia一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极晶体管,Nexperia

数据手册 --

制造商 Nexperia (安世) Nexperia (安世)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount

引脚数 - 3

封装 TO-236 SOT-23-3

额定功率 - 0.3 W

针脚数 - 3

耗散功率 - 300 mW

击穿电压(集电极-发射极) - 20 V

最小电流放大倍数(hFE) - 300 @500mA, 2V

额定功率(Max) - 480 mW

直流电流增益(hFE) - 280

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃

耗散功率(Max) - 480 mW

长度 - 3 mm

宽度 - 1.4 mm

高度 - 1 mm

封装 TO-236 SOT-23-3

工作温度 - 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 PB free 无铅