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BC560CG、BC560CTA、BC560对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC560CG BC560CTA BC560

描述 ON SEMICONDUCTOR  BC560CG  单晶体管 双极, 通用, PNP, -45 V, 250 MHz, 625 mW, -100 mA, 100 hFEFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BC560CTA  单晶体管 双极, PNP, -45 V, 150 MHz, 500 mW, -100 mA, 420 hFEPNP外延硅晶体管 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3

频率 250 MHz 150 MHz -

额定电压(DC) -45.0 V - -45.0 V

额定电流 -100 mA - -100 mA

额定功率 500 mW 500 mW -

针脚数 3 3 -

极性 PNP, P-Channel PNP PNP

耗散功率 625 mW 500 mW -

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 45 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A -

最小电流放大倍数(hFE) 380 @2mA, 5V 420 @2mA, 5V 110 @2mA, 5V

额定功率(Max) 625 mW 500 mW 500 mW

直流电流增益(hFE) 100 420 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 625 mW 500 mW -

长度 5.2 mm 5.2 mm -

宽度 4.19 mm 4.19 mm -

高度 5.33 mm 5.33 mm -

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3

材质 Silicon - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Box Ammo Pack Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99