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CY7C1414AV18-167BZC、CY7C1414AV18-167BZI、CY7C1414AV18-167BZXC对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C1414AV18-167BZC CY7C1414AV18-167BZI CY7C1414AV18-167BZXC

描述 36 - Mbit的QDR - II SRAM的2字突发架构 36-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture36 - Mbit的QDR - II SRAM的2字突发架构 36-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture36 - Mbit的QDR - II SRAM的2字突发架构 36-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 165 165 -

封装 FBGA-165 FBGA-165 BGA

位数 36 36 -

存取时间(Max) 0.5 ns 0.5 ns -

工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃ -

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ -

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V -

封装 FBGA-165 FBGA-165 BGA

高度 0.89 mm - -

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray - -

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead -