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BZW03C75、BZW03C75-TR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZW03C75 BZW03C75-TR

描述 硅Z-二极管和瞬态电压抑制器 Silicon Z-Diodes and Transient Voltage SuppressorsDiode Zener Single 75V 6% 6W 2Pin SOD-64 T/R

数据手册 --

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount

封装 - SOD-64

容差 - ±5 %

正向电压 - 1.2V @1A

耗散功率 - 6 W

测试电流 - 20 mA

稳压值 - 75 V

额定功率(Max) - 1.85 W

工作温度(Max) - 175 ℃

工作温度(Min) - 65 ℃

耗散功率(Max) - 6000 mW

长度 - 4 mm

宽度 - 4.3 mm

高度 - 4.3 mm

封装 - SOD-64

工作温度 - -65℃ ~ 175℃

产品生命周期 Obsolete Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 - RoHS Compliant

含铅标准 - 无铅