BSS84P、BSS84PH6327XTSA2、BSS84P-E6327对比区别

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型号 BSS84P BSS84PH6327XTSA2 BSS84P-E6327

描述 Infineon SIPMOS® P 通道 MOSFET**Infineon** SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能，可能包括增强模式、连续漏极电流（约低至 80A）及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率晶体管可用于多种应用，包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。 · 符合 AEC Q101 标准（请参阅数据表） · 无铅引线电镀，符合 RoHS 标准 ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能INFINEON  BSS84PH6327XTSA2  晶体管, MOSFET, P沟道, -170 mA, -60 V, 5.8 ohm, -10 V, -1.5 VSOT-23P-CH 60V 0.17A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23-3

漏源极电阻 8 Ω 8 Ω 8.00 Ω

极性 P-Channel P-Channel P-CH

耗散功率 360 mW 360 mW 360mW (Ta)

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 170 mA 0.17A 170 mA

上升时间 9.00 ns 16.2 ns 16.2 ns

输入电容(Ciss) 15pF @25V(Vds) 15pF @25V(Vds) 19pF @25V(Vds)

下降时间 34 ns 20.5 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

工作结温(Max) 150 ℃ - -

耗散功率(Max) 360 mW 360 mW 360mW (Ta)

额定功率 - 0.36 W -

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 -

阈值电压 - 1.5 V -

额定电压(DC) - - -60.0 V

额定电流 - - -170 mA

正向电压 - - -930 mV

输入电容 - - 19.0 pF

栅电荷 - - 1.50 nC

额定功率(Max) - - 360 mW

长度 2.9 mm 2.9 mm -

宽度 1.3 mm 1.3 mm -

高度 1 mm 1.1 mm -

封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2014/12/17 2015/12/17 -