IRF7380PBF、STS4DNF60L、IRF7380TRPBF对比区别

高亮显示差异参数

型号 IRF7380PBF STS4DNF60L IRF7380TRPBF

描述 INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF7380PBF  双路场效应管, N 通道, MOSFET, 80V, SOIC 新STMICROELECTRONICS  STS4DNF60L  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 4 A, 60 V, 0.045 ohm, 10 V, 1.7 VINFINEON  IRF7380TRPBF.  场效应管, MOSFET, 双N沟道

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) 80.0 V 60.0 V -

额定电流 3.60 A 4.00 A -

通道数 - 2 2

针脚数 8 8 8

漏源极电阻 0.073 Ω 0.045 Ω 0.061 Ω

极性 N-Channel, Dual N-Channel N-Channel, Dual N-Channel N-Channel, Dual N-Channel

耗散功率 2 W 2.5 W 2 W

阈值电压 4 V 1.7 V 4 V

漏源极电压(Vds) 80 V 60 V 80 V

漏源击穿电压 80.0 V 60 V 80 V

栅源击穿电压 - ±15.0 V -

连续漏极电流(Ids) 3.60 A 4.00 A 3.60 A

上升时间 10.0 ns 28 ns 10 ns

输入电容(Ciss) 660pF @25V(Vds) 1030pF @25V(Vds) 660pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 2 W 2 W 2 W

下降时间 - 10 ns 17 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 2000 mW 2 W

产品系列 IRF7380 - IRF7380

额定功率 - - 2 W

输入电容 - - 660 pF

长度 - 5 mm 4.9 mm

宽度 - 4 mm 3.9 mm

高度 - 1.25 mm 1.75 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Rail, Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -