TK4P60DA、TK4P60DB、IXFP4N60P3对比区别

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型号 TK4P60DA TK4P60DB IXFP4N60P3

描述 TOSHIBA  TK4P60DA  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 600 V, 1.7 ohm, 10 V, 2.4 VDPAK N-CH 600V 3.7AN 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar3™ 系列一系列 IXYS Polar3™ 系列 N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™)### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备

数据手册 ---

制造商 Toshiba (东芝) Toshiba (东芝) IXYS Semiconductor

分类 中高压MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 TO-252 DPAK TO-220-3

耗散功率 35 W - 114W (Tc)

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

输入电容(Ciss) - - 365pF @25V(Vds)

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) - - 114W (Tc)

极性 N-Channel N-CH -

连续漏极电流(Ids) 3.5A 3.7A -

针脚数 3 - -

漏源极电阻 1.7 Ω - -

阈值电压 2.4 V - -

长度 - - 10.66 mm

宽度 - - 4.83 mm

高度 - - 16 mm

封装 TO-252 DPAK TO-220-3

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant - RoHS Compliant

含铅标准 - - Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -