NTGS4111PT1G、PMN27UN,135、NTGS4111PT1对比区别

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型号 NTGS4111PT1G PMN27UN,135 NTGS4111PT1

描述 ON SEMICONDUCTOR  NTGS4111PT1G  场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, 4.7A, TSOPTSOP N-CH 20V 5.7A功率MOSFET （ -30 V， -4.7 A，单P沟道， TSOP - 6 ） Power MOSFET (-30 V, -4.7 A, Single P-Channel, TSOP-6)

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-23-6 TSOP-457 SOT-23-6

引脚数 6 6 -

额定电压(DC) -30.0 V - -30.0 V

额定电流 -4.70 A - -3.70 A

漏源极电阻 60 mΩ - 68.0 mΩ

极性 P-Channel N-Channel P-Channel

耗散功率 1.25 W 1.75 W 630mW (Ta)

输入电容 - - 750 pF

栅电荷 - - 32.0 nC

漏源极电压(Vds) 30 V 20 V 30 V

栅源击穿电压 ±20.0 V - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 4.70 A 5.70 A 3.70 A

输入电容(Ciss) 750pF @15V(Vds) 740pF @10V(Vds) 750pF @15V(Vds)

耗散功率(Max) 630mW (Ta) 1.75W (Tc) 630mW (Ta)

上升时间 - 14.5 ns -

额定功率(Max) 630 mW 1.75 W -

下降时间 22 ns 16 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

通道数 1 - -

针脚数 6 - -

阈值电压 3 V - -

漏源击穿电压 30 V - -

封装 SOT-23-6 TSOP-457 SOT-23-6

长度 3.1 mm - -

宽度 1.5 mm - -

高度 1 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 EAR99 - -