STB3N62K3、STD3N62K3、STU3N62K3对比区别

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型号 STB3N62K3 STD3N62K3 STU3N62K3

描述 N 通道 MDmesh™ K3 系列，SuperMESH3™, STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN 通道 MDmesh™ K3 系列，SuperMESH3™, STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS  STU3N62K3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.7 A, 620 V, 2.2 ohm, 10 V, 3.75 V

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-252-3 TO-251-3

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 2.2 Ω 2.2 Ω 2.2 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 45 W 45 W 45 W

阈值电压 3.75 V 3.75 V 3.75 V

漏源极电压(Vds) 620 V 620 V 620 V

连续漏极电流(Ids) - 2.7A 2.7A

上升时间 6.8 ns 6.8 ns 6.8 ns

输入电容(Ciss) 385pF @25V(Vds) 385pF @25V(Vds) 385pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 45 W 45 W 45 W

下降时间 15.6 ns 15.6 ns 15.6 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 45W (Tc) 45W (Tc) 45W (Tc)

长度 10.75 mm 6.6 mm 6.6 mm

宽度 10.4 mm 6.2 mm 2.4 mm

高度 4.6 mm 2.4 mm 6.9 mm

封装 TO-263-3 TO-252-3 TO-251-3

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17